Tagasi

IEC 63284:2022

Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors

Üldinfo
Kehtiv alates 21.04.2022
Tegevusala (ICS grupid)
31.080.30 Transistorid
Direktiivid või määrused
puuduvad
Standardi ajalugu
Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
21.04.2022
Põhitekst
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress
*
*
*
PDF
80,99 € koos KM-ga
Paber
80,99 € koos KM-ga
Standardi monitooring