Tagasi

ISO 17560:2002

Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of boron in silicon

Üldinfo
Kehtetu alates 10.09.2014
Tegevusala (ICS grupid)
71.040.40 Keemiline analüüs
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
10.09.2014
Põhitekst
Põhitekst
ISO 17560:2002 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1×1016 atoms/cm3 and 1×1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
*
*
*
PDF
82,61 € koos KM-ga
Paber
82,61 € koos KM-ga
Standardi monitooring