Tagasi

EVS-EN IEC 62819:2023

Pingealune töö. Silma-, näo- ja pea kaitsevahendid elektrikaare mõjude eest. Toimivusnõuded ja katsemeetodid

Üldinfo
Kehtiv alates 01.06.2023
Alusdokumendid
IEC 62819:2022; EN IEC 62819:2023
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
01.06.2023
Põhitekst
This part of IEC 63275-1 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10h).
*
*
*
PDF
27,60 € koos KM-ga
Paber
27,60 € koos KM-ga
Sirvi standardit 24 tunni jooksul: 2,40 € koos KM-ga
Standardi monitooring