Skip to main content
Tagasi
UUS

IEC 63068-5:2026

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5: Test method for defects using X-ray topography

Üldinfo

Kehtiv alates 06.10.2026
Tegevusala (ICS grupid)
31.080.99 Muud pooljuhtseadised
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
06.10.2026
Põhitekst
IEC 63068-5:2026 provides definitions and guidance in use of X-ray topography inspection system for detecting defects in silicon carbide (SiC) homoepitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies X-ray topographic images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.

Nõutud väljad on tähistatud *

*
*
*
*
PDF
346,82 € koos KM-ga
Paber
346,82 € koos KM-ga
Standardi monitooring