Skip to main content
Tagasi

Vabandust – see toode pole enam saadaval

prEN IEC 63275-2:2021

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

Üldinfo

Kavand
Alusdokumendid
IEC 63275-2:202X; prEN IEC 63275-2:2021
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
Põhitekst
prEN IEC 63275-2:2021
This part of IEC 63275-2 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change and on-resistance change of silicon carbide (SiC) 35 power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors.

Nõutud väljad on tähistatud *

*
*
*
PDF
3,36 € koos KM-ga
Paber
3,36 € koos KM-ga
Standardi monitooring