Tagasi

prEN IEC 63284:2021

Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors

Üldinfo
Kavand
Alusdokumendid
IEC 63284:202X; prEN IEC 63284:2021
Direktiivid või määrused
puuduvad
Standardi ajalugu
Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
Põhitekst
This document covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of Gallium Nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress.
*
*
*
PDF
3,60 € koos KM-ga
Paber
3,60 € koos KM-ga
Standardi monitooring