Skip to main content
Tagasi

IEC 63275-2:2022

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

Üldinfo

Kehtiv alates 11.05.2022
Tegevusala (ICS grupid)
31.080.30 Transistorid
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
11.05.2022
Põhitekst
IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors.

Nõutud väljad on tähistatud *

*
*
*
PDF
52,45 € koos KM-ga
Paber
52,45 € koos KM-ga
Standardi monitooring